horigol的HEM-8A是一個8GHz的IC帶狀線TEM小室，可產(chǎn)生電磁場，用于測試IC、無線通信模塊等小型設(shè)備。通過HEM-8A的輸入端口施加的外部測試信號可在單元內(nèi)產(chǎn)生一致且可預(yù)測的TEM測試場。來自在小室中傳輸?shù)脑O(shè)備的輻射場也可以使用測試接收器通過端口檢測。
獨(dú)特、緊湊、經(jīng)濟(jì)的設(shè)計經(jīng)過優(yōu)化，可用于標(biāo)準(zhǔn)TEM小室頻率范圍以外的中等精度測量。HEM-8A的工作原理與TEM單元基本相同。測試體積內(nèi)的E-H場與輸入電壓成正比，與電池高度成反比。如果將輻射物體插入電池內(nèi)部，則朝向輸入端口的輻射波由傳輸線引導(dǎo)，并在輸入端通過接收器（如頻譜分析儀）拾取。利用這種方法，可以定量測量輻射裝置的RFI。由于該設(shè)備非常寬帶，因此在EMI、EMS、接收機(jī)靈敏度測試等領(lǐng)域有許多應(yīng)用。
特征
高達(dá)8 GHz帶寬（超過1 GHz的正常TEM小室?guī)挘?
可測試高達(dá)1 KV的高壓，用于現(xiàn)場注入
3.應(yīng)用
集成電路電磁抗擾度測試
集成電路的電磁輻射測試
IC的ESD/浪涌場敏感性測試
IEC 61967-8:2011集成電路-150 kHz至3 GHz電磁發(fā)射的測量-第8部分：輻射發(fā)射的測量-IC帶狀線法
IEC 61967-2集成電路-150
kHz至1 GHz電磁發(fā)射的測量-第2部分：輻射發(fā)射的測量-TEM小室和寬帶TEM小室法
IEC 62132-8集成電路-電磁抗擾度的測量-第8部分：輻射抗擾度測量-IC帶狀線法
SAE 1752-3集成電路輻射發(fā)射的測量-TEM/寬帶TEM（GTEM）小室法；TEM小室（150 kHz至1 GHz）、寬帶TEM小室
4.規(guī)格
規(guī)格參數(shù)
頻率范圍：直流至8 GHz（不期望的高階模式的峰值>6 GHz）
TEM小室阻抗50Ω±5%標(biāo)稱值
駐波比DC-3 GHz<1.2 3–8 GHz<1.5
插入損耗（S21）DC–8
GHz<1 dB
回波損耗（S11和S22）DC-3 GHz＞20 dB 3-8 GHz＞14 dB
有效隔板至墻壁高度8.0 mm
1V時電池中心的電場強(qiáng)度為125
V/m（1kV時樶大為125 kV/m）
單元中心的H場強(qiáng)度=E場強(qiáng)度/377（A/m）
射頻連接器SMA
樶大輸入功率70瓦
直流時的樶大輸入電壓為1 kV
